Implementación en plataforma de altas prestaciones de un resolvedor para MOSFETs de doble puerta.

**Resumen.**
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El MOSFET de doble puerta es un tipo de transistor muy común. La evolución tecnológica ha visto una constante reducción de su tamaño, desde los 10000 nm de los años setenta hasta los 14 nm del más pequeño MOSFET utilizado en la práctica. Nuestro objetivo es la simulación un dispositivo de 10 nm utilizando un modelo muy preciso, a costa de que sea muy costosa computacionalmente. Para reducir los tiempos de cálculo, se está llevando a cabo una paralelización sobre tarjeta gráfica. Presentaremos los resultados hasta ahora conseguidos.

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